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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
每个部分包含一个线圈,并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。如果负载是感性的,磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。支持隔离以保护系统运行,基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。涵盖白色家电、
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,(图片:东芝)


SSI 与一个或多个电源开关结合使用,供暖、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动,这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,特别是对于高速开关应用。电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。在MOSFET关断期间,并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。但还有许多其他设计和性能考虑因素。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,

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